Log inSign up
LANGUAGE en
Menu
STOREE-ReadingHelp centerContactsDelivery chargesABOUT US News
SEARCH
0
Total price
0 EUR
PRICES include / exclude VAT
Homepage>CSN Standards>35 ELECTRICAL ENGINEERING>3587 Semiconductor elements>CSN EN 62047-16 - Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods
Sponsored link
Released: 01.09.2015
CSN EN 62047-16 - Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods

CSN EN 62047-16

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods

Format
Availability
Price and currency
English Hardcopy
In stock
52.00 EUR
FREE Shipping
Number of Standard:CSN EN 62047-16
Category:358775
Pages:20
Released:01.09.2015
Catalog number:98269
DESCRIPTION

CSN EN 62047-16

CSN EN 62047-16 Tato norma popisuje metodu zkoušení pro stanovení zbytkového pnutí vrstev s tloušťkami v rozsahu 0,01 µm do 10 µm ve strukturách MEMS vytvořených metodou zakřivení desky nebo metodou ohybu konzolového nosníku. Vrstvy by měly být naneseny na substrát známých mechanických vlastností Youngova modulu a Poissonova poměru. Tyto metody slouží k určení zbytkového pnutí tenkých vrstev nanesených na substrátu.
Original English text of CSN EN Standard.
The price of the Standard included all amendments and correcturs.
Print